正在半导体工艺进进10nm节点以后，EUV工艺是少不了的，可是EUV光刻机价前高达10亿一台，并且产量有限，致使芯片出产本前很高。日本铠侠公司此刻结合火伴开辟了新的工艺，能够不利用EUV光刻机，工艺中转5nm。

据据日媒报道，铠侠从2017年起头与半导体装备厂佳能，和光罩、模板等半导体零组件造造商DNP协作，正在日本三重县四日市的铠侠工场内研发纳米压印微影手艺(NIL)的量产手艺，铠侠已把握15nm量产手艺，今朝正正在停止15nm以下手艺研发，估计2025年告竣。

与今朝已适用化的极紫外光(EUV)半导体系体例程纤细化手艺比拟，NIL加倍削减耗能且年夜幅下降装备本前。

因NIL的微影造程较纯真，耗电量可抬高至EUV出产体例的10%，并让装备投资下降至40%。

而EUV装备由ASML独家出产供给，不单价前高，且需求很多检测装备共同。

今朝NIL正在量产上仍有很多题目有待处理，包罗更轻易因纤细灰尘而构成瑕疵等题目。

若是铠侠能胜利率先引进NIL量产手艺，可看填补正在装备投资比赛中的晦气场合排场，又能合适削减碳排放的需求。

对铠侠来讲，NAND组件采纳3D堆叠立体布局，更轻易因应NIL手艺的微影造程。

铠侠暗示，已处理NIL的根基手艺题目，正正在完美量产手艺，但愿能率先引进NAND出产。

按照DNP说法，NIL手艺电路邃密水平可达5nm，DNP从2021年春起，按照装备的规格值停止内部仿实。

DNP流露，从半导体系体例造商扣问增添，显现很多厂商对NIL手艺寄与厚看。

而佳能则努力于将NIL手艺普遍利用于建造DRAM及PC用CPU等逻辑IC的装备，供给多品种型的半导体系体例造商，未来也但愿能利用于手机利用处置器等 早进造程。