本年3月份，Intel CEO帕特基辛格(Pat Gelsinger)曾正在投资交换勾当中流露，Intel 18A工艺将比原按时间提早半年投产，此刻Intel正用现实步履践行着许诺。

本周，Intel正在位于美国俄勒冈的D1X工场举行盛大的Mod3扩建典礼，并将此地定名为戈登摩尔公园(Gordon Moore Park)。

Mod3的说法近似于我们游戏中所谓的Mod，也就是模块，现实上，那是Intel为D1X工场打的 三个MOD“补钉”，也是 二次扩建，投资高达30亿美圆。

D1X-Mod3的首要事情现实上从客岁8月份就起头了，其严重意义正在于，为工场增添了2.5万平米的干净室空间，将D1X扩年夜了20%，那便为终究足以搬进ASML的下一代 早进高数值孔径（High NA）EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200 EUV缔造需要前提。

和办事Intel 3/4工艺的NXE 3000系列EUV光刻机比拟，EXE 5200年夜了良多，冲破了D1X原“天花板”。

回到18A工艺造程，提速后， 快能够正在2024年三季度退场。

关于18A，简朴诠释下。实在依照Intel之前多年“诚恳”的定名风俗，其对应5nm+。但因为敌手台积电、三星早就粉碎了晶体管标准界说标准，Intel干脆也了局“搏斗”了。外界偏向于以为，18A对应18埃米，也就是1.8nm，对标的是台积电2nm。

订正后的Intel新 工艺线路图以下：

能够看到，本年起头到2024年，Intel的造程迭代将会很是松散，下半年会有 一代年夜范围利用EUV的Intel 4(原7nm)，来岁下半年则是 初一代FinFET晶体管的Intel 3(原7nm+)。

2024年会周全进进基于环抱栅极晶体管手艺的RibbonFET晶体管时期，同时另有Intel首创的PowerVia后背电路，首发是Intel 20A(原5nm)，名义2nm。

Intel新老工艺定名及目标清算，供参考