
据半导体行业不雅察报导,日前位于河南郑州的中国长城旗下的郑州轨道交通讯息手艺研讨院胜利研发了撑持超薄晶圆全切工艺的全主动12寸晶圆激光开槽装备,可撑持5nm DBG工艺。
据官方先容,该装备除具有通例激光开槽功用以外,还撑持5nm DBG工艺、120微米以下超薄wafer全切割功用、晶圆厂IGBT工艺端相干造程和TAIKO超薄环切等各类高精端工艺,为国产化半导体财产链再添“利器”。
据悉,该装备采取的模块化设想,可撑持分歧脉宽(纳秒、皮秒、飞秒)激光器。
自立研发的光学体系,可实现光斑宽度及长度持续可调,共同超高精度活动节制平台等手艺,与激光隐切装备完善连系、相辅相成,处理了激光隐切装备对概况材量、厚度、晶向、电阻率的限定,实正实现了工艺的全兼容,对有用节制产物破坏率、进步芯片良率有着极年夜帮忙。
高端智能设备是国之重器,是造造业的基石,半导体产业正在实现中国造造由年夜到强的成长中负担主要任务。
据先容,郑州轨交院的研发团队与海内闻名高校的着名专家霸占手艺困难,获得了国产开槽装备正在5nm进步前辈造程和超薄工艺(处置器等产物)的严重冲破,正在晶圆加工不变性、激光利用效力、产物切割量量等方面均到达了新的高度。
今朝,芯片设想愈来愈小,要求装备精度愈来愈高,该装备的胜利研造不但标记着中国长城正在晶圆激光切割范畴已具有壮大的手艺研发气力,也将助力封拆厂家晋升工艺程度、展开新工艺,助力芯片设想公司设想出更加进步前辈造程的芯片,对进一步进步我国智能设备造造才能具有里程碑式的意义。
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