昨日，中微公司颁布发表，电容耦合高能等离子体(CCP)刻蚀装备 1500 个反映台顺遂付运海内一家半导体系体例造商。本次托付的 Primo D-RIE 刻蚀装备反映台来自该客户的反复定单。

▲ 图源：中微公司

中微公司暗示，Primo D-RIE 刻蚀装备被芯片造造商用于造造存储和逻辑器件。为优化产量而设想，Primo D-RIE 能够设置装备摆设多达三个双反映台反映腔，每一个反映腔既能够自力操纵，又能够同时加工两片晶圆。

自 2007 年 Primo D-RIE 公布以来，中微公司连续拓展了 CCP 刻蚀装备产物线。CCP 刻蚀装备系列还包罗双反映台刻蚀装备 Primo AD-RIE、单反映台刻蚀装备 Primo SSC AD-RIE、Primo HD-RIE 和刻蚀及除胶一体化的 Primo iDEA。

据先容，那些产物用于 5 纳米及以下工艺的多种利用。中微公司的刻蚀装备产物线还包罗其他两款电感耦合低能等离子体(ICP)刻蚀装备和硅通孔(TSV)刻蚀装备。