消息称三星西安闪存二厂完成扩建并已投产,NAN

 头条123   2025-05-15 14:12   1284 人阅读  0 条评论
消息称三星西安闪存二厂完成扩建并已投产,NAN

Digitimes 报导称,三星电子 (Samsung Electronics) 独一外洋存储器出产厂,中国西安 NAND Flash 厂区 二工场日前已完成扩建并投产。据悉,该厂是三星正在韩国外乡以外,独一的存储芯片厂。经由过程此次扩建,三星电子的 NAND 闪存出产才能将占天下市场的 10% 以上。

陕西日报动静指出,西安三星半导体一期项目于 2012 年 9 月完工扶植,2014 年 5 月建成投产,投资总额由建厂时打算的 70 亿美圆增添到现实完成投资 108.7 亿美圆,此中闪存芯片项目投资 100 亿美圆,封拆测试项目投资 8.7 亿美圆。

2017 年 8 月 30 日,西安三星半导体投资 70 亿美圆正在西安高新区扶植 12 英寸闪存芯片二期项目,新建一条闪存出产线。2019 年 12 月,该公司决议再投资 80 亿美圆,拟对二期项目停止扩建,实现减产及产物迭代。

据悉,三星电子、SK 海力士等韩国半导体年夜厂都正在中国设厂,且出产量市占全部半导体工场的一半。三星电子正在中国西安成立出产 NAND Flash 存储芯片月产能够到达 26.5 万片 12 吋晶圆。而 SK 海力士也正在斟酌将主要的出产线迁徙至中国本地出产。

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