本年3月份Intel新任CEO基辛格颁布发表了全新的IDM 2.0计谋，尔后Intel起头了年夜范围的工场扩建打算，正在美国、欧洲、亚洲等地域城市建晶圆造造及封测工场，将来五年内产能晋升30%，并且新工艺频发。

本年9月份，Intel已正在亚利桑那州开工扶植新的晶圆厂，投资高达200亿美圆，两座工场别离会定名为Fab 52、Fab 62，并初次流露那些工场将会正在2024年量产20A工艺——那与之前预期的分歧，本来觉得会量产的是Intel 4如许的下两代工艺。

正在欧洲，Intel之前颁布发表了将来十年内无望投资1000亿美圆的复杂打算，今朝除扩建爱尔兰的晶圆厂以外，另有看正在德国扶植新的晶圆厂，在乎年夜利扶植新的封测厂，只不外此刻还没有正式发布，要到来岁初才气决议。

前不久Intel还颁布发表正在马来西亚投资71亿美圆扩建封测厂，那里是Intel的芯片封测基地。

业界估量，Intel此番年夜举扩大，估计正在5年内，也就是2026年的时辰产能将增加30%以上，无望追逐台积电。

除产能晋升以外，Intel的芯片工艺也会日新月异，从本年底的12代酷睿利用的Intel 7工艺起头，到2025年的四年里进级五代工艺——别离是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A，此中前面三代工艺仍是基于FinFET晶体管的，从Intel 4起头周全拥抱EUV光刻工艺。

至于前面的两代工艺，20A初次进进埃米级时期，抛却FinFET晶体管，具有两项反动性手艺，RibbonFET就是近似三星的GAA环抱栅极晶体管，PoerVia则初创打消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也能够优化旌旗灯号传输。

20A工艺正在2024年量产，2025年则会量产改良型的18A工艺，此次会首发下一代EUV光刻机，NA数值孔径会从此刻的0.33晋升到0.55以上。