12 月 15 日，吴越半导体 GaN 晶体出片典礼正在无锡高新区进行。

据无锡高新区动静，典礼上，吴越半导体展出了环球规模内初次厚度冲破 1 厘米的氮化镓晶体，并与君联本前、新投团体签订 A 轮融资计谋框架和谈。

图片来历：无锡高新区正在线

无锡吴越半导体有限公司建立于 2019 年，是无锡先导集成电路设备质料财产园首个落户的项目，公司专注于氮化镓自支持衬底的开辟、出产和发卖。

2020 年 2 月，吴越半导体、先导团体与高新区管委会签定协作和谈，正在无锡高新区实行 2-6 英寸氮化镓自支持单晶衬底财产化项目，项目建成投产后，可弥补无锡市正在 三代化合物半导体氮化镓原质料范畴的空缺。