SK 海力士此前率先推出了 HBM3 高带宽内存芯片，其采取多层堆叠体例，利用 TSV 硅通孔工艺造造，单片容量可达 24 GB， 高带宽可达 896 GB/s。

JEDEC 构造本日发布了 HBM3 内存尺度，标准了产物的功用、机能和容量、带宽等特征。那一代内存比拟 HBM2，带宽增添了一倍。自力通道的数目从 8 个增添至 16 个，再加上假造通道，使得每一个芯片撑持 32 通道。芯片能够采取 4 层、9 层、12 层堆叠体例，将来能够扩大至 16 层堆叠，实现单片容量 64GB。

JEDEC 划定每层芯片的容量为 8Gb 至 32Gb 可选(1GB~4GB)， 一代产物估计为单层 16Gb。为了知足市道上对那类内存靠得住性、寿命的需求，HBM3 引进了壮大的片上 ECC 纠错功用，同时具有及时陈述毛病的才能。

供电方方面，HBM3 芯片采取 0.4V、1.1V 两档事情电压，以便进步能效。

美光公司高管暗示，HBM3 将使得计较机到达更高的机能上限，同时能耗会有所下降。SK 海力士 DRAM 产物计划副总裁暗示，跟着高机能计较机和 AI 利用的不竭前进，市场上对更高机能、更高能效的要求比以往愈甚。跟着 HBM3 尺度的公布，SK 海力士很欢快可以或许为客户带来那类产物，同时加强的 ECC 计划能够进步不变性。SK 海力士为成为 JEDEC 的一员感应非常自豪，并很欢快可以或许与行业火伴一路，成立一个壮大的 HBM 生态系统。