三星 3nm 工厂即将动工,首发 GAA 工艺功耗直降

 头条123   2025-02-25 16:27   1767 人阅读  0 条评论
三星 3nm 工厂即将动工,首发 GAA 工艺功耗直降

三星电子代工部分比来深陷负面传说风闻中。先是有动静称涉嫌捏造并虚报 5nm、4nm 和 3nm 工艺良率,让高通等 VIP 客户不能不另投台积电,克日又被黑客窃走 200GB 数据。

不外从手艺上来看,三星仍然是独一一家可以或许紧跟台积电的晶圆代工场,并且三星正在接下来的 3nm 节点大将加倍激进,并想要正在环球初次推出 GAA 晶体督工艺,抛却 FinFET 晶体督工艺(台积电 3nm 工艺仍将基于 FinFET 工艺)。

三星正打算正在 2022 年上半年完成其 3nm GAA 工艺的量量评价。据韩国媒体报导,三星已筹办幸亏韩国平泽市的 P3 工场完工扶植 3nm 晶圆厂,打算于 6、7 月份开工,并实时导进装备。

按照三星的说法,与 7nm 造造工艺比拟,3nm GAA 手艺的逻辑面积效力进步了 45% 以上,功耗下降了 50%,机能进步了约 35%,纸面参数上来讲倒是要优于台积电 3nm FinFET 工艺。

三星代工是三星的代工芯片造造营业部分,此前有动静称其今朝正正在与客户一路停止产物设想和批量出产的量量测试。该营业部分的方针是击败合作敌手台积电,正在 3nm GAA 范畴取得“天下 一”的称呼。但是三星可否正在 3nm 的机能和产能上知足客户的要求另有待不雅察。

韩国弘远证券的数据显现,停止 2020 年,三星 Foundry 具有的专利仅为 7000- 10000 项,而其合作敌手台积电已取得约 3.5 万至 3.7 万项专利。是以,业界以为三星以为缺少 3nm 相干专利,那多是个题目。

三星旗下 Galaxy 装备被黑客攻破,近 200GB 数据信息泄漏,触及协作火伴高通秘密数据,数亿名 Galaxy 装备用户正正在面对着新的潜伏平安风险,引发业界存眷。

除此以外,韩国媒体此前还报导称,三星高管能够正在试产阶段假造了其 5nm 以下工艺的芯片良率,以举高三星代产业务的合作力。随后,三星启动了对本来打算扩年夜产能和包管良率的资金着落的查询拜访,进一步领会半导体代工场产量和良率环境。

据三星内部官员流露,“因为晶圆代工场托付的数目难以知足代工定单需求,公司对非内存工艺的良率暗示思疑,究竟上基于该良率是能够知足定单托付的。”还有业内助士流露,正在三星为高通出产的骁龙 4nm 造程芯片中,良品率仅为 35%,而且三星自研的 4nm 造程 SoC 猎户座 2200 的良率更低。

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