南大光电:公司 ArF 光刻胶产品已通过存储芯片

 头条123   2025-01-12 03:55   1505 人阅读  0 条评论
南大光电:公司 ArF 光刻胶产品已通过存储芯片

南年夜光电正在接管机构调研时暗示,公司研发的 ArF 光刻胶首要定位于 90nm-28nm 集成电路的造程利用,公司 ArF 光刻胶产物别离经由过程一家存储芯片造造企业和一家逻辑芯片造造企业的考证,今朝多款产物正正在多家客户同时停止认证。

南年夜光电称,经由过程考证的一家客户从客岁 8 月份以来,一向一般采办公司光刻胶产物。由于是客造化产物,暂未构成范围发卖。ArF 光刻胶按照客户定单环境停止出产发卖,今朝项目延期至 2022 年末,公司将经由过程兼顾调和尽力推动,力图早日完成该项目扶植。

公司 ArF 光刻胶产物 一步是要完成替换入口,入口替换使命完成后,再停止品格晋升。今朝公司 ArF 光刻胶是从 焦点原质料起头停止研发,完全处理洽商题目。

正在其他产物方面,今朝,南年夜光电 MO 源的海内市场据有率约 40%,是海内 MO 源产物品类 齐备的公司之一;砷烷现有产能 30 吨,打算扩建 70 吨;磷烷现有产能 70 吨,打算扩建 70 吨;乌兰察布三氟化氮出产基地扶植按打算一般推动,打算扶植产能 7200 吨,已完成 1800 吨产能扶植,今朝公司各产物处于满产满销状况。

从各种产物市场据有率来看,MO 源海内约 40%;先驱体海内约 8%;氢类电子特气海内约 60%;三氟化氮海内市占率约为 35%,外洋市占率约为 10%;六氟化硫首要正在海内发卖,市占率约为 20%。

南年夜光电暗示,公司尽力实行 MO 源 2.0 打算,经由过程手艺立异不竭优化产物和客户布局,进步前辈先驱体质料如 28nm 和 14nm 造程先驱体、硅先驱体等产物研发和财产化获得主要冲破;氢类电子特气正在手艺、品格、产能和发卖各方面已跃居天下前线;氟类电子特气方面公司加速乌兰察布“实验田”扶植,为扶植“天下单项冠军”产物奠基坚固的根本。

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