据 BusinessKorea 的报导，三星已设定了方针，即正在本年 6 月前完成 11 纳米的 六代 1c DRAM 芯片的开辟。听说该公司已要求其研讨职员遏制或跳过 1b DRAM 的开辟，那是一种 12 纳米芯片。

此前有动静称，三星已间断了 12-13nm 工艺级别内存研发，暗示三星 13nm 级此外内存被直接认可掉败。

报导称，三星但愿扩年夜与合作敌手的手艺差异，那些合作敌手包罗 SK 海力士和美光科技。另外，那其实不是三星 一次抛却 DRAM 的某些开辟阶段而向更高条理成长。此前，三星抛却了 28 纳米 DRAM 的年夜范围出产，专注于出产 25 纳米 DRAM。

业内专家以为，对三星来讲，出产 11 纳米 DRAM 其实不是一件轻易的事，由于那需求进步前辈的手艺。但是，据 BusinessKorea 报导，三星但愿找到一种方式，该公司正在 1c DRAM 完成之前面对着庞大的开辟压力，由于其正在 1a DRAM 的量产方面掉队于其两个合作敌手。

内存工艺正在 20nm 节点以后就有分歧断代方式，之前用的是 1x、1y、1z，厥后又有了 1a、1b、1c 工艺，不外三星、SK 海力士及美光三年夜内存巨子的现实工艺也不完整是如许，偶然发布的仍是数字 + nm 定名。